Vishay TrenchFET Gen III Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 127.5 A 65.8 W, 8-Pin PowerPAK 1212
- RS Best.-Nr.:
- 200-6849
- Herst. Teile-Nr.:
- SiSS63DN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Zwischensumme (1 Packung mit 50 Stück)*
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF.1.05 | CHF.52.77 |
| 100 - 200 | CHF.0.848 | CHF.42.22 |
| 250 - 450 | CHF.0.737 | CHF.36.97 |
| 500 - 1200 | CHF.0.616 | CHF.30.60 |
| 1250 + | CHF.0.566 | CHF.28.48 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 200-6849
- Herst. Teile-Nr.:
- SiSS63DN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 127.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Serie | TrenchFET Gen III | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 1212 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 7mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 236nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 65.8W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 3.3mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 3.3mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 127.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Serie TrenchFET Gen III | ||
Gehäusegröße PowerPAK 1212 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 7mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 236nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 65.8W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 3.3mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 3.3mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Vishay SISs63DN-T1-GE3 ist ein P-Kanal-MOSFET mit 20 V (D-S).
TrenchFET® Gen III P-Kanal-Leistungs-MOSFET
Führungs-RDS(on) in einem kompakten und thermisch verbesserten Gehäuse
100 % Rg- und UIS-getestet
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