STMicroelectronics SCTH35 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 650 V Erweiterung / 45 A, 7-Pin H2PAK-7

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
201-0891P
Herst. Teile-Nr.:
SCTH35N65G2V-7
Marke:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

45A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

H2PAK-7

Serie

SCTH35

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.055Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Der 650-V-Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics hat einen Nennstrom von 45 A und Drain-to-Source-Widerstand 55 m Ohm. Es verfügt über einen geringen Einschaltwiderstand pro Einheitsfläche und eine sehr gute Schaltleistung. Die Variation des Schaltverlusts ist fast unabhängig von der Anschlusstemperatur.

Sehr schnelle und robuste eigensichere Body-Diode

Niedrige Kapazität

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäss der Datenschutzerklärung verarbeitet.