STMicroelectronics SiC MOSFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 900 V / 15 A 30 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 201-4467
- Herst. Teile-Nr.:
- STF16N90K5
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF.3.777 | CHF.188.92 |
| 100 - 200 | CHF.3.737 | CHF.186.60 |
| 250 - 450 | CHF.3.687 | CHF.184.28 |
| 500 - 950 | CHF.3.646 | CHF.182.10 |
| 1000 + | CHF.3.596 | CHF.179.93 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 201-4467
- Herst. Teile-Nr.:
- STF16N90K5
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 15A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 900V | |
| Serie | SiC MOSFET | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 330mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 29.7nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 30W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 16mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 15A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 900V | ||
Serie SiC MOSFET | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 330mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 29.7nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 30W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 16mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der STMicroelectronics N-Kanal 900 V, 280 mO typ., 15 A MDmesh K5 Leistungs-MOSFET in einem TO-220FP-Gehäuse basiert auf einer innovativen proprietären vertikalen Struktur.
Extrem niedrige Gate-Ladung
100%ig auf Stoßentladung geprüft
Zenerdioden-geschützt
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