STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Durchsteckmontage SiC-Leistungsmodul 1200 V Entleerung / 16 A 153 W, 3-Pin Hip-247

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme 10 Stück (geliefert in Stange)*

CHF.120.59

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 582 Einheit(en) mit Versand ab 20. Juli 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
10 - 1199CHF.12.06
1200 +CHF.11.91

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
202-4806P
Herst. Teile-Nr.:
SCT20N120AG
Marke:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

SiC-Leistungsmodul

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

16A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Serie

SCT

Gehäusegröße

Hip-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.52Ω

Channel-Modus

Entleerung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

3.6V

Maximale Verlustleistung Pd

153W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

45nC

Maximale Betriebstemperatur

200°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

15.8mm

Länge

10.4mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN
Der STMicroelectronics-MOSFET für Siliziumkarbid in Kfz-Qualität hat eine sehr enge Variation des Einschaltwiderstands im Vergleich zu zurückgekehrt ist. Er verfügt über eine sehr hohe Betriebstemperatur.

Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode

Niedrige Kapazität

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäss der Datenschutzerklärung verarbeitet.