STMicroelectronics STD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 480 V / 10 A 92 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 202-4809P
- Herst. Teile-Nr.:
- STD13N60M6
- Marke:
- STMicroelectronics
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- 202-4809P
- Herst. Teile-Nr.:
- STD13N60M6
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- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 480V | |
| Serie | STD | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 380mΩ | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 13nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 92W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 6.6mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 10.1mm | |
| Breite | 2.4 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 480V | ||
Serie STD | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 380mΩ | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 13nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 92W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 6.6mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 10.1mm | ||
Breite 2.4 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der STMicroelectronics N-Kanal-MDmesh-M6-Leistungs-MOSFET in einem DPAK-Gehäuse hat geringere Schaltverluste. Es verfügt außerdem über einen niedrigeren RDS(on) pro Bereich im Vergleich zur vorherigen Generation.
100%ig auf Stoßentladung geprüft
Zenerdioden-geschützt