STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 1200 V Entleerung / 100 A 420 W, 7-Pin H2PAK
- RS Best.-Nr.:
- 202-5486P
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTW100N65G2AG
- Marke:
- STMicroelectronics
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- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Gehäusegröße | H2PAK | |
| Serie | SCT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.105Ω | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 162nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 420W | |
| Durchlassspannung Vf | 2.8V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 200°C | |
| Höhe | 34.95mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 5.15 mm | |
| Länge | 15.75mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Gehäusegröße H2PAK | ||
Serie SCT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.105Ω | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 162nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 420W | ||
Durchlassspannung Vf 2.8V | ||
Maximale Betriebstemperatur 200°C | ||
Höhe 34.95mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 5.15 mm | ||
Länge 15.75mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der STMicroelectronics-MOSFET für Siliziumkarbidleistung in Kfz-Qualität wurde mit der Advanced und innovativen SiC MOSFET-Technologie der 2. Generation von ST entwickelt. Das Gerät zeichnet sich durch einen bemerkenswert niedrigen Betriebswiderstand pro Gerätebereich und eine sehr gute Schaltleistung aus.
Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode
Niedrige Kapazität