STMicroelectronics ST N-Kanal, Oberfläche MOSFET 600 V Entleerung / 25 A 190 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 202-5496P
- Herst. Teile-Nr.:
- STB33N60DM6
- Marke:
- STMicroelectronics
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- 202-5496P
- Herst. Teile-Nr.:
- STB33N60DM6
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 25A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | ST | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.115Ω | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 190W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 35nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.6mm | |
| Länge | 10.4mm | |
| Höhe | 15.85mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 25A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie ST | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.115Ω | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 190W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 35nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.6mm | ||
Länge 10.4mm | ||
Höhe 15.85mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der STMicroelectronics Hochspannungs-Leistungs-MOSFET für N-Kanal ist Teil der schnellen Wiederherstellungs-DM6-Diodenserie MDmesh TM. Im Vergleich zur vorherigen schnellen Generation von MDmesh kombiniert DM6 eine sehr niedrige Wiederherstellungsladung (Qrr), Wiederherstellungszeit (trr) und eine ausgezeichnete Verbesserung des RDS(on) pro Bereich mit einem der effektivsten Schaltverhalten, das auf dem Markt erhältlich ist.
Extrem hohe dv/dt-Robustheit
Zenerdioden-geschützt