STMicroelectronics ST N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 600 V Entleerung / 30 A 40 W, 3-Pin TO-220

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Herst. Teile-Nr.:
STF36N60M6
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

30A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

ST

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.085Ω

Channel-Modus

Entleerung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

44.3nC

Gate-Source-spannung max Vgs

25V

Durchlassspannung Vf

1.6V

Maximale Verlustleistung Pd

40W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

30.6mm

Breite

4.6mm

Länge

10.4mm

Automobilstandard

Nein

Die neue M6-Technologie STMicroelectronics MDmesh TM umfasst die neuesten Fortschritte der bekannten und konsolidierten Mdmesh Familie von SJ MOSFETs. STMicroelectronics baut mit seiner neuen M6-Technologie auf der vorherigen Generation von MDmesh Geräten auf.

Niedriger Gate-Eingangswiderstand

100%ig auf Stoßentladung geprüft

Zenerdioden-geschützt

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