STMicroelectronics ST Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 600 V Entleerung / 62 A 390 W, 4-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:
202-5545P
Herst. Teile-Nr.:
STW70N60DM6-4
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

62A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

ST

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.036Ω

Channel-Modus

Entleerung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

99nC

Durchlassspannung Vf

1.6V

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

390W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

41.2mm

Breite

5.1 mm

Länge

15.9mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der STMicroelectronics N-Kanal-Leistungs-MOSFET ist Teil der MDmesh TM DM6-Diode mit schneller Erholung. Im Vergleich zur vorherigen schnellen Generation von MDmesh kombiniert DM6 eine sehr niedrige Wiederherstellungsladung (Qrr), Wiederherstellungszeit (trr) und eine ausgezeichnete Verbesserung des RDS(on) pro Bereich mit einem der effektivsten Schaltverhalten, das auf dem Markt erhältlich ist.

100%ig auf Stoßentladung geprüft

Zenerdioden-geschützt

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