onsemi NTB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 60 A 357 W, 7-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 202-5689
- Herst. Teile-Nr.:
- NTBG040N120SC1
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- 202-5689
- Herst. Teile-Nr.:
- NTBG040N120SC1
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 60A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | NTB | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 40mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 106nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 357W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25 V | |
| Durchlassspannung Vf | 3.7V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 15.7mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 4.7 mm | |
| Länge | 10.2mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 60A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie NTB | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 40mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 106nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 357W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25 V | ||
Durchlassspannung Vf 3.7V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 15.7mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 4.7 mm | ||
Länge 10.2mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Siliziumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK-7L Siliziumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK?7L
Der on Semiconductor Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET läuft mit 60 Ampere und 1200 Volt. Er kann in unterbrechungsfreier Stromversorgung, DC- oder DC-Wandler, Boost-Wechselrichter verwendet werden.
40-mO-Ablass zur Quelle des Widerstandes
Extrem niedrige Gate-Ladung
100%ig auf Stoßentladung geprüft
Bleifrei
RoHS-konform
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