onsemi NTH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 84 A 510 W, 4-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:
202-5696
Herst. Teile-Nr.:
NTH4L020N120SC1
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

84A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Serie

NTH

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

28mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

3.7V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

220nC

Maximale Verlustleistung Pd

510W

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

18.62mm

Höhe

15.2mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

5.2 mm

Automobilstandard

Nein

Siliziumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 20 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L Siliziumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 20 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L


Der on Semiconductor Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET läuft mit 102 Ampere und 1200 Volt. Er kann in unterbrechungsfreier Stromversorgung, DC- oder DC-Wandler, Boost-Wechselrichter verwendet werden.

20 mO Ablass zur Quelle des Widerstandes

Extrem niedrige Gate-Ladung

100%ig auf Stoßentladung geprüft

Bleifrei

RoHS-konform

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