onsemi NTMFS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 136 A 127 W, 8-Pin DFN
- RS Best.-Nr.:
- 202-5712
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMFSC004N08MC
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
CHF.23.10
Auf Lager
- Zusätzlich 390 Einheit(en) mit Versand ab 21. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | CHF.2.31 | CHF.23.10 |
| 100 - 240 | CHF.1.995 | CHF.19.91 |
| 250 + | CHF.1.722 | CHF.17.26 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 202-5712
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMFSC004N08MC
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 136A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Serie | NTMFS | |
| Gehäusegröße | DFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 43.4nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 127W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 5.1mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, MSL1 | |
| Höhe | 6.25mm | |
| Breite | 0.95 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 136A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Serie NTMFS | ||
Gehäusegröße DFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 43.4nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 127W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 5.1mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS, MSL1 | ||
Höhe 6.25mm | ||
Breite 0.95 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der on Semiconductor Power Single N-Kanal Leistungs-MOSFET läuft mit 136 Ampere und 80 Volt. Er kann in der Ring-FET/Lastschaltung, Synchrongleichrichter, DC/DC-Wandlungsanwendungen verwendet werden.
Advanced doppelseitige gekühlte Verpackung
Bleifrei
RoHS-konform
MSL1 robuste Gehäuseausführung
Verwandte Links
- onsemi NTMFS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 136 A 127 W, 8-Pin DFN
- onsemi NTMFS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 278 A 136 W, 5-Pin NTMFS0D9N04XLT1G DFN-5
- onsemi NTMFS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 181 A 148 W, 5-Pin NTMFS2D5N08XT1G DFN-5
- onsemi NTMFS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 154 A 133 W, 5-Pin NTMFS3D0N08XT1G DFN-5
- onsemi NTMFS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 119 A 107 W, 5-Pin NTMFS4D0N08XT1G DFN-5
- onsemi NTMFS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 131 A 136 W, 5-Pin DFN
- onsemi NTMFS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 131 A 136 W, 5-Pin NTMFS3D6N10MCLT1G DFN
- onsemi NVMFS6H818N Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 123 A 136 W, 5-Pin DFN