onsemi NTN Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 20 V / 127 mA 125 mW, 3-Pin XDFN
- RS Best.-Nr.:
- 202-5716P
- Herst. Teile-Nr.:
- NTNS2K1P021ZTCG
- Marke:
- onsemi
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- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 127mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Serie | NTN | |
| Gehäusegröße | XDFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 10Ω | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Durchlassspannung Vf | -20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 125mW | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 0.43 mm | |
| Länge | 0.21mm | |
| Höhe | 0.72mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 127mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Serie NTN | ||
Gehäusegröße XDFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 10Ω | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Durchlassspannung Vf -20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 125mW | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 0.43 mm | ||
Länge 0.21mm | ||
Höhe 0.72mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der on Semiconductor Power Single N-Kanal Leistungs-MOSFET läuft mit -127 Milliampere und -20 Volt. Er kann in Kleinsignal-Lastschaltern, Hochgeschwindigkeits-Schnittstellenanwendungen, Pegelumschaltungsanwendungen verwendet werden.
Bleifrei
RoHS-konform
Halogenfrei
Flaches, extrem kleines Gehäuse