onsemi NTTF Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 84 A 100 W, 8-Pin PQFN
- RS Best.-Nr.:
- 202-5729
- Herst. Teile-Nr.:
- NTTFS5D9N08HTWG
- Marke:
- onsemi
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- RS Best.-Nr.:
- 202-5729
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- NTTFS5D9N08HTWG
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 84A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | PQFN | |
| Serie | NTTF | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5.9mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 20nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 100W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 3.4mm | |
| Länge | 3.4mm | |
| Breite | 0.8 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 84A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße PQFN | ||
Serie NTTF | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5.9mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 20nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 100W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 3.4mm | ||
Länge 3.4mm | ||
Breite 0.8 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der on Semiconductor Single N-Kanal-MOSFET läuft auf 80 Volt und 84 Ampere. Er kann auf DC/DC-Abwärtswandlern, Point-of-Load, Lastschalter mit hohem Wirkungsgrad und Low-Side-Schaltung, ORing FET verwendet werden.
Bleifrei
Halogenfrei
RoHS-konform
Betriebstemperaturbereich: -55 bis +150 °C.
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