Vishay SiR626ADP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 165 A 104 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 204-7199
- Herst. Teile-Nr.:
- SiR626ADP-T1-RE3
- Marke:
- Vishay
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- 204-7199
- Herst. Teile-Nr.:
- SiR626ADP-T1-RE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 165A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | SiR626ADP | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.75mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 83nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 104W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 1.12 mm | |
| Höhe | 6.25mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 5.26mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 165A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie SiR626ADP | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.75mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 83nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 104W | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 1.12 mm | ||
Höhe 6.25mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 5.26mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Vishay N-Kanal 60 V (D-S) MOSFET ist auf den niedrigsten RDS - Qoss FOM abgestimmt.
Gehäuse Power PAK SO-8
Leistungs-MOSFET TrenchFET Gen IV
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