Vishay Doppelt SiZ340ADT Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 69.7 A 31 W, 9-Pin PowerPAIR 3 x 3
- RS Best.-Nr.:
- 204-7213
- Herst. Teile-Nr.:
- SiZ340ADT-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Mengenrabatt verfügbar
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | CHF.0.919 | CHF.18.42 |
| 100 - 180 | CHF.0.788 | CHF.15.66 |
| 200 - 480 | CHF.0.707 | CHF.14.20 |
| 500 - 980 | CHF.0.566 | CHF.11.41 |
| 1000 + | CHF.0.515 | CHF.10.32 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 204-7213
- Herst. Teile-Nr.:
- SiZ340ADT-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 69.7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | PowerPAIR 3 x 3 | |
| Serie | SiZ340ADT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 9 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0094Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 31W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 8.1nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 3mm | |
| Höhe | 0.75mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 69.7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße PowerPAIR 3 x 3 | ||
Serie SiZ340ADT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 9 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0094Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 31W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 8.1nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 3mm | ||
Höhe 0.75mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Zweifach-N-Kanal-MOSFETs 30 V (D-S) von Vishay sind integrierte PowerPAIR-Halbbrücken-MOSFET-Leistungsstufen.
Leistungs-MOSFET TrenchFET Gen IV
100 % Rg- und UIS-geprüft
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