Vishay SiJ128LDP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 25.5 A 22.3 W, 4-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 204-7217P
- Herst. Teile-Nr.:
- SiJ128LDP-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- 204-7217P
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- SiJ128LDP-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 25.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Serie | SiJ128LDP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 15.6mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 22.3W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 30nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 6.25mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 5.25mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 25.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Serie SiJ128LDP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 15.6mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 22.3W | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 30nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 6.25mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 5.25mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Vishay N-Kanal 80 V (D-S) MOSFET hat einen sehr niedrigen Qg und Qoss, um Leistungsverluste zu reduzieren und die Effizienz zu verbessern. Es hat einen sehr niedrigen Qg und Qoss, um die Verlustleistung zu reduzieren und die Effizienz zu verbessern.
Leistungs-MOSFET TrenchFET Gen IV
100 % Rg- und UIS-geprüft