Vishay SiDR140DP N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 100 A 125 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 204-7236P
- Herst. Teile-Nr.:
- SIDR140DP-T1-RE3
- Marke:
- Vishay
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 50 - 90 | CHF 2.808 |
| 100 - 240 | CHF 2.596 |
| 250 - 490 | CHF 2.424 |
| 500 + | CHF 2.323 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 204-7236P
- Herst. Teile-Nr.:
- SIDR140DP-T1-RE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 25V | |
| Serie | SiDR140DP | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.67mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 113nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 125W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 6.15mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 5.15mm | |
| Höhe | 610μm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 25V | ||
Serie SiDR140DP | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.67mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 113nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 125W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 6.15mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 5.15mm | ||
Höhe 610μm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Vishay N-Kanal 25 V (D-S) MOSFET verfügt über eine Top Side Cooling Funktion, die zusätzlichen Platz für die Wärmeübertragung bietet. Es hat ein optimiertes Qg-, Qgd- und Qgd/QGS-Verhältnis zur Reduzierung der Schaltleistungsverluste.
100 % Rg- und UIS-geprüft
Leistungs-MOSFET TrenchFET Gen IV