Vishay Doppelt SiZ270DT N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 100 V Erweiterung / 19.1 A 33 W, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3 S.
- RS Best.-Nr.:
- 204-7264P
- Herst. Teile-Nr.:
- SIZ270DT-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- SIZ270DT-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 19.1A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | PowerPAIR 3 x 3 S. | |
| Serie | SiZ270DT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0377Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 33W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 13.3nC | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 3.3mm | |
| Breite | 3.3mm | |
| Höhe | 0.75mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 19.1A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße PowerPAIR 3 x 3 S. | ||
Serie SiZ270DT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0377Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 33W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 13.3nC | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 3.3mm | ||
Breite 3.3mm | ||
Höhe 0.75mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Vishay Dual N-Channel 100 V (D-S) MOSFETs sind eine integrierte MOSFET-Halbbrücken-Leistungsstufe und haben ein optimiertes QGS/QGS-Verhältnis, das die Schalteigenschaften verbessert.
100 % Rg- und UIS-geprüft
Leistungs-MOSFET TrenchFET Gen IV