onsemi SUPERFET III N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 650 V / 24 A 181 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 205-2470P
- Herst. Teile-Nr.:
- FCB125N65S3
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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|---|---|
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- 205-2470P
- Herst. Teile-Nr.:
- FCB125N65S3
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET & Diode | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 24A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | SUPERFET III | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 125mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 46nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 181W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 4.6mm | |
| Breite | 9.6mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 14.6mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET & Diode | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 24A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie SUPERFET III | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 125mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 46nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 181W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 4.6mm | ||
Breite 9.6mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 14.6mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der on Semiconductor SuperFET III N-Kanal-MOSFET ist eine Hochspannungs-Super-Junction (SJ)-MOSFET-Familie, die Ladungsausgleichstechnologie für einen hervorragenden niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und eine geringere Gate-Ladungsleistung nutzt. Diese Advanced Technology ist auf die Minimierung von Leitungsverlusten ausgelegt, bietet eine überlegene Schaltleistung und hält extremen dv/dt-Rate stand.
Der Dauerablassstrom beträgt 24 A.
Der Ablass zur Quelle bei einem Widerstand beträgt 125 MOhm
Extrem niedrige Gate-Ladung
Niedrige gespeicherte Energie in der Ausgangskapazität
100%ig auf Stoßentladung geprüft
Gehäusetyp ist D2-PAK