onsemi NTH N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET & Diode Erweiterung 1.2 kV / 31 A 178 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 205-2502
- Herst. Teile-Nr.:
- NTHL080N120SC1A
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stück)*
CHF 12.29
Nur noch Restbestände
- Letzte 209 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF 12.29 |
| 10 - 99 | CHF 10.60 |
| 100 + | CHF 9.19 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 205-2502
- Herst. Teile-Nr.:
- NTHL080N120SC1A
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET & Diode | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 31A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1.2kV | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | NTH | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 110mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 4V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 178W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 56nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 4.48mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 39.75mm | |
| Breite | 15.37mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET & Diode | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 31A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1.2kV | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie NTH | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 110mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 4V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 178W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 56nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 4.48mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 39.75mm | ||
Breite 15.37mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Siliziumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 80 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L Siliziumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 80 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L
Der on Semiconductor NTH-Serie SiC N-Kanal 1200 V MOSFET verwendet eine völlig neue Technologie, die eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit im Vergleich zu Silizium bietet. Darüber hinaus sorgen der niedrige Einschaltwiderstand und die kompakte Chip-Größe für eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung. Zu den Systemvorteilen gehören höchste Effizienz, faster Betrieb, erhöhte Leistungsdichte, geringere elektromagnetische Störungen und geringere Systemgröße.
Der Dauerablassstrom beträgt 31 A.
Der Ablass zur Quelle bei einem Widerstand beträgt 110 MOhm
Hohe Schaltgeschwindigkeit und niedrige Kapazität
100 % UIL-geprüft
Niedrige effektive Ausgangskapazität
Gehäusetyp ist TO-247-3LD
Verwandte Links
- onsemi NTH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET & Diode Erweiterung 1200 V / 31 A 178 W, 3-Pin TO-247
- onsemi NTH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 58 A 117 W, 7-Pin TO-247
- onsemi NTH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 58 A 117 W, 3-Pin TO-247
- onsemi NTH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 58 A 117 W, 4-Pin TO-247
- onsemi NTH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 29 A 170 W, 4-Pin TO-247
- onsemi NTH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 17.3 A 111 W, 4-Pin TO-247
- onsemi NTH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 60 A 348 W, 4-Pin TO-247
- onsemi NTH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 29 A 119 W, 3-Pin TO-247