DiodesZetex DMN6022 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 6.9 A 1.3 W, 8-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:
206-0090
Herst. Teile-Nr.:
DMN6022SSS-13
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6.9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

DMN6022

Gehäusegröße

SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

34mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Verlustleistung Pd

1.3W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

14nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

4.85mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

3.8mm

Höhe

1.4mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN
Der DiodesZetex-N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit 60 V wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung zu erhalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet. Seine Gate-Quellspannung beträgt 20 V mit 1,3 W Wärmeverlustleistung.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Niedrige Eingangskapazität

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