DiodesZetex DMP2067 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 4.2 A 1.2 W, 6-Pin TSOT
- RS Best.-Nr.:
- 206-0109P
- Herst. Teile-Nr.:
- DMP2067LVT-7
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- RS Best.-Nr.:
- 206-0109P
- Herst. Teile-Nr.:
- DMP2067LVT-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Serie | DMP2067 | |
| Gehäusegröße | TSOT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 65mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.2W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 15nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | -1.4V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 1.8mm | |
| Breite | 1.8mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Serie DMP2067 | ||
Gehäusegröße TSOT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 65mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.2W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 15nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf -1.4V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 1.8mm | ||
Breite 1.8mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der 20-V-P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET von DiodesZetex wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung zu erhalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet. Seine Gate-Quellspannung beträgt 8 V mit 1,2 W Wärmeverlustleistung.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Niedrige Eingangskapazität