DiodesZetex Doppelt DMP3164 Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 2.8 A 1.16 W, 6-Pin TSOT
- RS Best.-Nr.:
- 206-0118P
- Herst. Teile-Nr.:
- DMP3164LVT-7
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme 50 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
CHF.17.15
Auf Lager
- 425 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 50 - 75 | CHF.0.343 |
| 100 - 225 | CHF.0.293 |
| 250 - 975 | CHF.0.293 |
| 1000 + | CHF.0.283 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 206-0118P
- Herst. Teile-Nr.:
- DMP3164LVT-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | TSOT | |
| Serie | DMP3164 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.3Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 4.4nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.16W | |
| Durchlassspannung Vf | -0.8V | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 2.9mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Normen/Zulassungen | MIL-STD-202, J-STD-020, UL 94V-0, AEC-Q101, RoHS | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße TSOT | ||
Serie DMP3164 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.3Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 4.4nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.16W | ||
Durchlassspannung Vf -0.8V | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 2.9mm | ||
Höhe 1mm | ||
Normen/Zulassungen MIL-STD-202, J-STD-020, UL 94V-0, AEC-Q101, RoHS | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der zweifache P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET DiodesZetex mit 30 V wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung zu erhalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet. Seine Gate-Quellspannung beträgt 12 V mit 0,83 W Wärmeverlustleistung.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Niedrige Eingangskapazität