DiodesZetex DMT6006 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 98 A 2.45 W, 8-Pin PowerDI5060

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Herst. Teile-Nr.:
DMT6006SPS-13
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

98A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

PowerDI5060

Serie

DMT6006

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6.2mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

27.9nC

Maximale Verlustleistung Pd

2.45W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

5.15mm

Höhe

0.9mm

Länge

6.15mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der 8-polige N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET DiodesZetex mit 60 V, wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung zu erhalten, womit er ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen ist. Seine Gate-Quellspannung beträgt 20 V mit 2,45 W Wärmeverlustleistung.

Niedriger RDS(ON) - sorgt dafür, dass die Verluste im eingeschalteten Zustand minimiert werden

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