DiodesZetex DMTH10 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 20.1 kA 2.7 W, 8-Pin PowerDI5060
- RS Best.-Nr.:
- 206-0159
- Herst. Teile-Nr.:
- DMTH10H4M5LPS-13
- Marke:
- DiodesZetex
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- RS Best.-Nr.:
- 206-0159
- Herst. Teile-Nr.:
- DMTH10H4M5LPS-13
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 20.1kA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | PowerDI5060 | |
| Serie | DMTH10 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 6.2mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.7W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 6.15mm | |
| Breite | 5.15 mm | |
| Höhe | 0.9mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 20.1kA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße PowerDI5060 | ||
Serie DMTH10 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 6.2mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.7W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 6.15mm | ||
Breite 5.15 mm | ||
Höhe 0.9mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der 8-polige N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET DiodesZetex 100 V wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung zu erhalten. Dieses Gerät ist ideal für den Einsatz in der Notebook-Akkuverwaltung und im Lastschalter. Seine Gate-Quellspannung beträgt 20 V mit 2,7 W Wärmeverlustleistung.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
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