STMicroelectronics STO67N60M6 N-Kanal, Oberfläche MOSFET 600 V Erweiterung / 34 A, 8-Pin

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RS Best.-Nr.:
206-8633P
Herst. Teile-Nr.:
STO67N60M6
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Serie

STO67N60M6

Kabelkanaltyp

N

Montageart

Oberfläche

Produkt Typ

MOSFET

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

600 V

Channel-Modus

Erweiterung

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

34 A

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

54 mΩ

The STMicroelectronics MDmesh M6 technology incorporates the most recent advancements to the well-known and consolidated MDmesh family of SJ MOSFETs. STMicroelectronics builds on the previous generation of MDmesh devices through its new M6 technology, which combines excellent RDS(on) per area improvement with one of the most effective switching behaviours available, as well as a user-friendly experience for maximum end-application efficiency.

Reduced switching losses

Lower RDS(on) per area vs previous generation

Low gate input resistance

100% avalanche tested

Zener-protected

High creepage package

Excellent switching performance thanks to the extra driving source pin

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