Toshiba Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 82 A, 8-Pin SOP
- RS Best.-Nr.:
- 206-9793P
- Herst. Teile-Nr.:
- TPH3R704PC,LQ(S
- Marke:
- Toshiba
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- RS Best.-Nr.:
- 206-9793P
- Herst. Teile-Nr.:
- TPH3R704PC,LQ(S
- Marke:
- Toshiba
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 82A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | SOP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5.8Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 82A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße SOP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5.8Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Der N-Kanal-MOSFET aus Silizium von Toshiba hat Hochgeschwindigkeits-Schaltereigenschaften. Es wird hauptsächlich in hocheffizienten DC/DC-Wandlern, Schaltspannungsreglern und Motortreibern eingesetzt.
Niedriger Drain-Source-On-Widerstand 2,9 m?
Lagertemperatur: -55 bis 175 °C
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