Texas Instruments NexFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 20 A 2.9 W, 6-Pin WSON
- RS Best.-Nr.:
- 208-8489P
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD25310Q2
- Marke:
- Texas Instruments
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
- RS Best.-Nr.:
- 208-8489P
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD25310Q2
- Marke:
- Texas Instruments
Technische Daten
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Texas Instruments | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 20A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | WSON | |
| Serie | NexFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.39mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 4.7nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.9W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 2mm | |
| Höhe | 0.7mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Texas Instruments | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 20A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße WSON | ||
Serie NexFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.39mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 4.7nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.9W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 2mm | ||
Höhe 0.7mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
-
-