Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 800 V / 15 A 179 W, 3-Pin TO-247AC

RS Best.-Nr.:: 210-4986P
Herst. Teile-Nr.:: SIHG17N80AE-GE3
Marke:: Vishay

Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 800 V / 15 A 179 W, 3-Pin TO-247AC

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 210-4986P
Herst. Teile-Nr.:: SIHG17N80AE-GE3
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Produkt Typ	Leistungs-MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	15A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	800V
	Serie	E
	Gehäusegröße	TO-247AC
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	250mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs	30V
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	41nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	179W
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Höhe	4.83mm
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Breite	15.66mm
	Länge	35.3mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Produkt Typ Leistungs-MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 15A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 800V
	Serie E
	Gehäusegröße TO-247AC
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 250mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs 30V
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 41nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 179W
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Höhe 4.83mm
	Normen/Zulassungen RoHS
	Breite 15.66mm
	Länge 35.3mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - SIHG17N80AE-GE3

Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay, maximale Drain-Source-Spannung von 800 V, maximaler kontinuierlicher Drain-Strom von 15 A – SIHG17N80AE-GE3

Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-Schalttransistor, der für die Durchsteckmontage in der industriellen Leistungselektronik entwickelt wurde. Es arbeitet als N-Kanal-Verbesserungsgerät und ist für Anwendungen vorgesehen, die einen großen Spannungsbereich und einen moderaten Gleichstrom erfordern, und bietet eine robuste Halbleiterlösung für Schalt- und Leistungsumwandlungsfunktionen.

Merkmale und Vorteile:

• Maximale Drain-Source-Spannung von 800 V ermöglicht Hochspannungsschaltung
• 15 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt dauerhafte Belastbarkeit
• Maximale Rds(on) von 250 mΩ reduziert Leitungsverluste
• Die Verlustleistung von 179 W ermöglicht eine erhebliche thermische Handhabung
• Typische Gate-Ladung von 41 nC ermöglicht vorhersehbares Schaltverhalten
• 30-V-Gate-Source-Grenzwert ermöglicht Standard-Gate-Drive-Spannungen

Anwendungen

• Geeignet für Hochspannungs-Schaltnetzteile
• Ideal für industrielle Wechselrichterstufen und Motorantriebsfrontenden
• Wird für Leistungsfaktorkorrekturschaltungen in Netzgeräten verwendet
• Kann für isolierte Hochspannungswandler verwendet werden
• Geeignet für Laborprüfgeräte, die Durchsteckmontagekomponenten erfordern

Welcher Gehäusetyp ist für Prototyping und Kühlkörper vorgesehen?

Das Gerät wird in einem TO-247AC-Gehäuse mit Durchgangsbohrung geliefert, das die robuste Montage und Befestigung von Standard-Kühlkörpern für das Wärmemanagement erleichtert.

Welcher Sperrschichttemperaturbereich kann während des Betriebs erwartet werden?

Die Komponente ist für den Betrieb bis zu einer maximalen Temperatur von 150 °C mit einer Mindestgrenze von -55 °C für die Lagerung und den Betrieb bei niedrigen Temperaturen ausgelegt.

Wie wirkt sich die Gate-Ladungsspezifikation auf das Schaltdesign aus?

Eine typische Gate-Ladung von 41 nC bei Nenn-Gate-Antrieb ermöglicht es Entwicklern, die Gate-Antrieb-Energie zu schätzen und geeignete Treiber auszuwählen, um die Schaltgeschwindigkeit und EMI auszugleichen.

Welche Überlegungen zur Montage und zur Anzahl der Stifte gelten für das Schaltungslayout?

Das Teil verwendet ein dreipoliges Durchgangsbohrungsformat, das eine sichere Befestigung der Leiterplatte und einen einfachen Anschluss in herkömmlichen Stromversorgungslayouts ermöglicht.