Vishay SQJ150EP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 66 A 65 W, 4-Pin SO-8

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme 100 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*

CHF.66.70

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 12. April 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
100 - 240CHF.0.667
250 - 490CHF.0.596
500 - 990CHF.0.434
1000 +CHF.0.343

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
210-5045P
Herst. Teile-Nr.:
SQJ150EP-T1_GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

66A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

SQJ150EP

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6.8mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

65W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

15nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

1.1mm

Länge

5mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Vishay Automotive N-Kanal 40 V (D-S) 175 °C MOSFET hat ein PowerPAK SO-8L-Gehäuse mit 66 A Ableitstrom.

Leistungs-MOSFET TrenchFET Gen IV

AEC-Q101-qualifiziert

100 % Rg- und UIS-geprüft

QGD/QGS-Verhältnis < 1 optimiert die Schalteigenschaften

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäss der Datenschutzerklärung verarbeitet.