STMicroelectronics N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 650 V / 72 A, 4-Pin TO-247-4

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Herst. Teile-Nr.:
STW68N65DM6-4AG
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

72A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-247-4

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

39mΩ

Der Hochspannungs-N-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics ist Teil der Mesh-DM6-Schnellwiederherstellungsdioden-Serie. Im Vergleich zur vorherigen Mesh-Schnellgeneration kombiniert der DM6 eine sehr niedrige Erholungsladung (Qrr), Erholungszeit (trr) und eine ausgezeichnete Verbesserung des RDS(on) pro Bereich mit einem der effektivsten Schaltverhaltensweisen, die auf dem Markt für die anspruchsvollsten Hochleistungsbrückentopologien und ZVS-Phasenverschiebungswandler erhältlich sind.

Entwickelt für Kfz-Anwendungen

Schnellwiederherstellende Gehäuse-Diode

Geringerer RDS(on) pro Bereich im Vergleich zur vorherigen Generation

Niedrige Gate-Ladung, Eingangskapazität und Widerstand

100 % Avalanche-getestet

Extrem hohe dv/dt-Robustheit

Ausgezeichnete Schaltleistung dank des zusätzlichen Antriebsstifts

Zener-geschützt

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