STMicroelectronics SCT1000N170 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1700 V / 7 A 96 W, 3-Pin Hip-247
- RS Best.-Nr.:
- 212-2092P
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT1000N170
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- SCT1000N170
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- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1700V | |
| Gehäusegröße | Hip-247 | |
| Serie | SCT1000N170 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.66Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 96W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 13.3nC | |
| Durchlassspannung Vf | 4.5V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 200°C | |
| Länge | 15.75mm | |
| Höhe | 5.15mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 20.15 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1700V | ||
Gehäusegröße Hip-247 | ||
Serie SCT1000N170 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.66Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 96W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 13.3nC | ||
Durchlassspannung Vf 4.5V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 200°C | ||
Länge 15.75mm | ||
Höhe 5.15mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 20.15 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
SiC MOSFET
Der STMicroelectronics Siliziumkarbid Leistungs-MOSFET wird unter Ausnutzung der Advanced, innovativen Eigenschaften von Materialien mit großem Bandspalt hergestellt. Dies führt zu einem unübertroffenen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Gerätebereich und einer sehr guten Schaltleistung, die nahezu unabhängig von der Temperatur ist. Die hervorragenden thermischen Eigenschaften des SiC-Materials in Kombination mit dem Gehäuse des Geräts im proprietären HiP247-Gehäuse ermöglichen es Entwicklern, einen Industriestandard-Umriss mit deutlich verbesserter Wärmekapazität zu verwenden.
Hohe Schaltleistung
Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode
Geringe Kapazitäten