STMicroelectronics SCTWA40N120G2V-4 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 1200 V / 45 A 277 W, 3-Pin Hip-247
- RS Best.-Nr.:
- 212-2094P
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTWA40N120G2V-4
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- Herst. Teile-Nr.:
- SCTWA40N120G2V-4
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- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 45A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Serie | SCTWA40N120G2V-4 | |
| Gehäusegröße | Hip-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 70mΩ | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 277W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 3.3V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 61nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 200°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 21.1mm | |
| Länge | 15.9mm | |
| Höhe | 5.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 45A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Serie SCTWA40N120G2V-4 | ||
Gehäusegröße Hip-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 70mΩ | ||
Maximale Verlustleistung Pd 277W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 3.3V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 61nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 200°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 21.1mm | ||
Länge 15.9mm | ||
Höhe 5.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
SiC MOSFET
Der STMicroelectronics 650 V, 55 mΩ SCTH35N65G2V-7 STPOWER SiC MOSFET mit einem Trench Field Stop (TFS) IGBT mit der gleichen Nennspannung und einem äquivalenten Betriebswiderstand. Der STPOWER SiC MOSFET zeigt deutlich reduzierte Schaltverluste, selbst bei hohen Temperaturen. Dies ermöglicht es dem Entwickler, mit sehr hohen Schaltfrequenzen zu arbeiten, wodurch die Größe passiver Komponenten für kleinere Formfaktoren reduziert wird.
Sehr niedrige Schaltverluste
Geringe Leistungsverluste bei hohen Temperaturen
Höhere Betriebstemperatur (bis zu 200 °C)
Gehäusediode ohne Rückgewinnungsverluste
Leicht zu fahren