STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 119 A 656 W, 4-Pin Hip-247
- RS Best.-Nr.:
- 213-3945P
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTWA90N65G2V-4
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
- RS Best.-Nr.:
- 213-3945P
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTWA90N65G2V-4
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 119A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | SCTWA90N65G2V-4 | |
| Gehäusegröße | Hip-247 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 24mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22V | |
| Durchlassspannung Vf | 2.5V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 656W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 157nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 200°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 21.1mm | |
| Länge | 15.9mm | |
| Höhe | 5.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 119A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie SCTWA90N65G2V-4 | ||
Gehäusegröße Hip-247 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 24mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22V | ||
Durchlassspannung Vf 2.5V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 656W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 157nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 200°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 21.1mm | ||
Länge 15.9mm | ||
Höhe 5.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
The STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4 silicon carbide Power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.
High speed switching performance
Very high operating junction temperature capability
Very fast and robust intrinsic body diode
Extremely low gate charge and input capacitance
Source sensing pin for increased efficiency