DiodesZetex DMN10H220LFVW Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 11 A 41 W, 8-Pin PowerDI3333
- RS Best.-Nr.:
- 213-9154
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN10H220LFVW-7
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 50 Stück)*
CHF.14.70
Nur noch Restbestände
- Letzte 1’450 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF.0.294 | CHF.14.54 |
| 100 - 200 | CHF.0.252 | CHF.12.76 |
| 250 - 450 | CHF.0.252 | CHF.12.50 |
| 500 - 950 | CHF.0.231 | CHF.11.29 |
| 1000 + | CHF.0.20 | CHF.10.19 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 213-9154
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN10H220LFVW-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 11A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | PowerDI3333 | |
| Serie | DMN10H220LFVW | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 222mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 6.7nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 41W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 3.4mm | |
| Höhe | 0.85mm | |
| Breite | 3.4 mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 11A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße PowerDI3333 | ||
Serie DMN10H220LFVW | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 222mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6.7nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 41W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 3.4mm | ||
Höhe 0.85mm | ||
Breite 3.4 mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der MOSFET der DiodesZetex DBN10H220LFVW-Serie wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und eine überlegene Schaltleistung beizubehalten, was ihn ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen macht.
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Verwandte Links
- DiodesZetex DMN10H220LFVW Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 11 A 41 W, 8-Pin PowerDI3333
- DiodesZetex DMP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 11 A 41 W, 8-Pin PowerDI3333
- DiodesZetex DMT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 60 A 41 W, 8-Pin PowerDI3333
- DiodesZetex Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 41 A 1.73 W, 8-Pin PowerDI3333-8
- DiodesZetex DMP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 17.5 A 41 W, 8-Pin PowerDI3333
- DiodesZetex Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V, 8-Pin PowerDI3333-8
- DiodesZetex Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung 2.34 W, 8-Pin PowerDI3333-8
- DiodesZetex DMTH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 52.4 A, 8-Pin PowerDI3333