DiodesZetex DMTH10H009LPSQ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 91 A 1.5 W, 8-Pin DMTH10H009LPSQ-13
- RS Best.-Nr.:
- 213-9221
- Herst. Teile-Nr.:
- DMTH10H009LPSQ-13
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
CHF.12.18
Auf Lager
- 6’020 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | CHF.1.218 | CHF.12.18 |
| 50 - 90 | CHF.1.197 | CHF.11.93 |
| 100 - 240 | CHF.1.061 | CHF.10.65 |
| 250 - 990 | CHF.1.04 | CHF.10.44 |
| 1000 + | CHF.0.851 | CHF.8.52 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 213-9221
- Herst. Teile-Nr.:
- DMTH10H009LPSQ-13
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 91A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | PowerDI5060 | |
| Serie | DMTH10H009LPSQ | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 800mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.5W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 6.15mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 5.15 mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 91A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße PowerDI5060 | ||
Serie DMTH10H009LPSQ | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 800mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.5W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 6.15mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 5.15 mm | ||
Höhe 1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der DiodesZetex DMTH10H009LPSQ ist ein N-Kanal-MOSFET, der die strengen Anforderungen von Kfz-Anwendungen erfüllt.
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Verwandte Links
- DiodesZetex DMTH10H009LPSQ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 91 A 1.5 W, 8-Pin PowerDI5060
- DiodesZetex DMTH15H017SPS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 61 A 1.5 W, 8-Pin DMTH15H017SPS-13
- DiodesZetex Typ P, Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung 1.5 W, 8-Pin SOIC DMHC4035LSDQ-13
- DiodesZetex Typ N, Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung 1.5 W, 8-Pin SOIC DMHC4035LSD-13
- DiodesZetex Typ P, Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung 1.5 W, 8-Pin SOIC
- DiodesZetex Typ N, Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung 1.5 W, 8-Pin SOIC
- DiodesZetex Einfach Typ N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 8.7 A 1.5 W, 8-Pin SOIC DMN3018SSD-13
- DiodesZetex DMTH15H017SPS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 61 A 1.5 W, 8-Pin PowerDI5060
