Infineon OptiMOS 5 N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 80 V / 49 A 50 W, 8-Pin SuperSO
- RS Best.-Nr.:
- 214-4328P
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC117N08NS5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (75 Stück, auf Gurtabschnitt geliefert)*
CHF 86.33
Auf Lager
- 13'200 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 75 - 135 | CHF 1.151 |
| 150 - 360 | CHF 1.101 |
| 375 - 735 | CHF 1.05 |
| 750 + | CHF 0.98 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-4328P
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC117N08NS5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 49A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Gehäusegröße | SuperSO | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 11.7mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 50W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 15nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 6.1mm | |
| Höhe | 1.2mm | |
| Länge | 5.35mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 49A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Gehäusegröße SuperSO | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 11.7mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 50W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 15nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 6.1mm | ||
Höhe 1.2mm | ||
Länge 5.35mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon OptiMOS 5 Serie MOSFET, 80 V Drain-Source-Spannung, 49 A kontinuierlicher Drain-Strom – BSC117N08NS5ATMA1
Dieser MOSFET ist ein oberflächenmontierter N-Kanal-Leistungstransistor, der für Hochstromschaltungen in kompakten elektronischen Baugruppen entwickelt wurde. Er funktioniert in einem breiten Umgebungsbereich und eignet sich für Anwendungen, die eine effiziente Leitfähigkeit und ein schnelles Schaltverhalten erfordern. Das Gerät wird in einem 8-poligen SuperSO-Gehäuse geliefert und ist für Anwendungen vorgesehen, bei denen ein geringer Einschaltwiderstand und eine erhebliche Ablassstromkapazität erforderlich sind.
Merkmale und Vorteile:
• 11,7 mΩ Rds(on) für reduzierte Leitungsverluste
• 49 A kontinuierlicher Ablassstrom für die Handhabung schwerer Lasten
• 80 V Drain-Source-Nennleistung für Hochspannungsschaltung
• 15 nC Gate-Ladung für reaktionsschnelle Schaltsteuerung
• Maximale Verlustleistung von 50 W für robuste thermische Leistung
• 49 A kontinuierlicher Ablassstrom für die Handhabung schwerer Lasten
• 80 V Drain-Source-Nennleistung für Hochspannungsschaltung
• 15 nC Gate-Ladung für reaktionsschnelle Schaltsteuerung
• Maximale Verlustleistung von 50 W für robuste thermische Leistung
Anwendungsbereich
• Geeignet für hocheffiziente Stromversorgungen in der Elektronik
• Ideal für DC/DC-Wandler und synchrone Gleichrichtung
• Einsatz mit Motorsteuerungen, die eine hohe Strombelastbarkeit erfordern
• Kann für die Telekommunikations- und Server-Stromverteilung verwendet werden
• Geeignet für kompakte, oberflächenmontierte Baugruppen mit hoher Dichte
• Ideal für DC/DC-Wandler und synchrone Gleichrichtung
• Einsatz mit Motorsteuerungen, die eine hohe Strombelastbarkeit erfordern
• Kann für die Telekommunikations- und Server-Stromverteilung verwendet werden
• Geeignet für kompakte, oberflächenmontierte Baugruppen mit hoher Dichte
Welchen extremen Temperaturen kann er während des Betriebs standhalten?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und eignet sich für raue thermische Bedingungen.
Wie hilft das Gehäuse bei der Gestaltung auf Board-Ebene?
Das achtpolige SuperSO-Layout und die flache Bauhöhe von 1,2 mm ermöglichen eine dichte Platzierung der Komponenten und eine Routing mit niedriger Induktivität.
Wie hoch ist die typische Durchlassspannung während der Leitung?
Das Gerät weist unter den angegebenen Leitungsbedingungen eine Durchlassspannung von 1,1 V auf, was die Berechnung der Leitungsverluste beeinflusst.
Welche maximale Gate-Spannung sollte die Konstruktion zulassen?
Das Gate sollte innerhalb von ±20 V betrieben werden, um eine Überschreitung der maximalen Gate-Source-Nennspannung zu vermeiden.