Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 150 V / 56 A 96 W, 8-Pin SuperSO

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Herst. Teile-Nr.:
BSC160N15NS5ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

56A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Serie

OptiMOS 5

Gehäusegröße

SuperSO

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

16mΩ

Channel-Modus

N

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

96W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

19nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.2mm

Länge

5.35mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Dieser Infineon OptiMOS MOSFET bietet den neuesten R DS(on) eines Trench MOSFET zusammen mit dem großen sicheren Betriebsbereich eines klassischen planaren MOSFET.

Er ist ideal für Hot-Swap- und e-fuse-Anwendungen

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