Infineon Doppelt OptiMOS Typ P, Typ N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET-Arrays 30 V Erweiterung / 2.3 A 0.6 W, 6-Pin TSOP
- RS Best.-Nr.:
- 214-4335P
- Herst. Teile-Nr.:
- BSL308CH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
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- 214-4335P
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- BSL308CH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET-Arrays | |
| Kabelkanaltyp | Typ P, Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Gehäusegröße | TSOP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 57mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 0.6W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | -5nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Breite | 1.6mm | |
| Länge | 2.9mm | |
| Normen/Zulassungen | IEC61249-2-21, RoHS | |
| Höhe | 1mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET-Arrays | ||
Kabelkanaltyp Typ P, Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie OptiMOS | ||
Gehäusegröße TSOP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 57mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 0.6W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs -5nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Breite 1.6mm | ||
Länge 2.9mm | ||
Normen/Zulassungen IEC61249-2-21, RoHS | ||
Höhe 1mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
MOSFET-Arrays der OptiMOS-Serie von Infineon, 30 V maximale Drain-Source-Spannung, 2,3 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSL308CH6327XTSA1
Dieses MOSFET-Array-Gerät bietet gepaarte P-Kanal- und N-Kanal-Transistoren in einem kompakten Gehäuse für die Oberflächenmontage für Schalt- und Leistungsmanagementfunktionen in der Automobil- und Industrieelektronik. Er wird in einem TSOP-6-Pin-Format geliefert, das für die Integration auf Board-Ebene und den Betrieb über einen breiten Umgebungsbereich ausgelegt ist und ein typisches Gate-Ladeverhalten unterstützt, das für schnelle Schaltvorgänge geeignet ist.
Merkmale und Vorteile:
• Niedrige Rds(on) von 57 mΩ reduziert Leitungsverluste und Wärmeentwicklung
• Maximaler kontinuierlicher Ablassstrom von 2,3 A ermöglicht eine moderate Belastbarkeit
• Maximum Vds 30 V unterstützt 30-V-Systemarchitekturen
• Maximale Gate-Source-Spannung von 20 V schützt die Gate-Integrität bei Transienten
• Die Durchlassspannung von 1,1 V verbessert die Effizienz in Diodenleitpfaden
• Ausgelegt für 150 °C ermöglicht zuverlässigen Betrieb bei hohen Sperrschichttemperaturen
• Maximaler kontinuierlicher Ablassstrom von 2,3 A ermöglicht eine moderate Belastbarkeit
• Maximum Vds 30 V unterstützt 30-V-Systemarchitekturen
• Maximale Gate-Source-Spannung von 20 V schützt die Gate-Integrität bei Transienten
• Die Durchlassspannung von 1,1 V verbessert die Effizienz in Diodenleitpfaden
• Ausgelegt für 150 °C ermöglicht zuverlässigen Betrieb bei hohen Sperrschichttemperaturen
Anwendungsbereich
• Geeignet für Steuermodule für Karosserien, die die AEC-Konformität erfordern
• Ideal für Schaltstufen von DC/DC-Wandlern mit hoher Dichte
• Einsatz mit Batteriemanagement-Schaltkreisen in Fahrzeugen und Geräten
• Kann für das Schalten von Motortreibern auf der Low-Side- oder High-Side-Seite verwendet werden
• Geeignet für die kompakte Stromverteilung auf oberflächenmontierten Leiterplatten
• Ideal für Schaltstufen von DC/DC-Wandlern mit hoher Dichte
• Einsatz mit Batteriemanagement-Schaltkreisen in Fahrzeugen und Geräten
• Kann für das Schalten von Motortreibern auf der Low-Side- oder High-Side-Seite verwendet werden
• Geeignet für die kompakte Stromverteilung auf oberflächenmontierten Leiterplatten
Welche Befestigungsart ist für die Leiterplattenmontage erforderlich?
Es handelt sich um ein SMD-Gerät in einem TSOP-6-Pin-Gehäuse, das für das Reflow-Löten an Standard-Leiterplatten-Muster ausgelegt ist.
Wie verhält es sich bei extremen Temperaturen?
Das Gerät ist für den Betrieb von -55 °C bis maximal 150 °C ausgelegt, was den Einsatz in rauen thermischen Umgebungen ermöglicht.
Gibt es separate Transistorelemente pro Chip?
Es gibt ein Element pro Chip, das als Doppeltransistoranordnung konfiguriert ist und sowohl P- als auch N-Kanalfunktionen bietet.
Welche Normen und Materialkonformität sind angegeben?
Die Komponente ist RoHS-konform und wird aus Materialien hergestellt, die der Norm IEC 61249‐2‐21 entsprechen.