Infineon 600V CoolMOS P7 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 12 A 53 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 214-4370P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB60R280P7ATMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 214-4370P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB60R280P7ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 12A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | 600V CoolMOS P7 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 280mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 53W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 18nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 4.5mm | |
| Länge | 10.02mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 9.27mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 12A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie 600V CoolMOS P7 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 280mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 53W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 18nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 4.5mm | ||
Länge 10.02mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 9.27mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon 600 V CoolMOS P7 Serie MOSFET, 600 V Drain-Source-Spannung, 12 A kontinuierlicher Drain-Strom – IPB60R280P7ATMA1
Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für die Leistungsschaltung in anspruchsvollen elektronischen Systemen entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich und ist für oberflächenmontierte Anwendungen vorgesehen, bei denen eine robuste Spannungsübertragung und eine kontrollierte Gate-Ansteuerung erforderlich sind. Die Komponente eignet sich für Designs, die eine Hochspannungsblockierung, einen moderaten Leitungsstrom und eine kompakte Montage erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• 600 V Drain-Source-Nennleistung für Hochspannungsschaltfähigkeit
• 12 A kontinuierlicher Ablassstrom für dauerhafte Lasthandhabung
• 280 mΩ Rds(on) für effiziente Leitung unter normalen Betriebsbedingungen
• 18 nC typische Gate-Ladung für vorhersehbare Schaltenergie
• 53 W maximale Verlustleistung für thermische Spanne in Leistungsstufen
• 20-V-Gate-Toleranz für Kompatibilität mit gängigen Gate-Treibern
• 12 A kontinuierlicher Ablassstrom für dauerhafte Lasthandhabung
• 280 mΩ Rds(on) für effiziente Leitung unter normalen Betriebsbedingungen
• 18 nC typische Gate-Ladung für vorhersehbare Schaltenergie
• 53 W maximale Verlustleistung für thermische Spanne in Leistungsstufen
• 20-V-Gate-Toleranz für Kompatibilität mit gängigen Gate-Treibern
Anwendungsbereich
• Geeignet für Offline-Stromversorgungen und SMPS-Primärschalter
• Ideal für Hochspannungs-DC/DC-Wandler und Leistungsmodule
• Einsatz mit Gleichrichter- und Snubber-Netzwerken bei der Stromaufbereitung
• Kann für industrielle Motorantriebs-Frontenden verwendet werden
• Wird für Telekommunikations-Stromversorgungssysteme verwendet, die eine platzsparende Montage erfordern
• Ideal für Hochspannungs-DC/DC-Wandler und Leistungsmodule
• Einsatz mit Gleichrichter- und Snubber-Netzwerken bei der Stromaufbereitung
• Kann für industrielle Motorantriebs-Frontenden verwendet werden
• Wird für Telekommunikations-Stromversorgungssysteme verwendet, die eine platzsparende Montage erfordern
Welches Gehäuse und welche Art von Montage sind dafür erforderlich?
Er wird in einem TO-263-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage entwickelt wurde, um eine flache Platinenintegration und eine effiziente Wärmeleitfähigkeit auf Platinenebene zu gewährleisten.
Welche thermischen Grenzwerte regeln die Verwendung in Umgebungen mit hohen Temperaturen?
Das Gerät ist für den Betrieb zwischen -55 °C und 150 °C ausgelegt und definiert zulässige Umgebungs- und Anschlussbedingungen für einen zuverlässigen Betrieb innerhalb dieses Bereichs.
Wie wirkt sich die Gate-Spezifikation auf die Auswahl externer Treiber aus?
Bei einer maximalen Gate-Source-Spannung von 20 V sollten die Treiber die Spitzen-Vgs innerhalb dieser Grenze halten und bei der Einstellung des Antriebsstroms für die gewünschte Schaltgeschwindigkeit die typische Gate-Ladung von 18 nC berücksichtigen.
Welches Leitungsverhalten sollten Konstrukteure bei Dauerbelastung erwarten?
Erwarten Sie kontinuierliche Ablassströme von bis zu 12 A, wobei die Leitungsverluste durch den spezifizierten Einschaltwiderstand von 280 mΩ und das gesamte thermische Design der Platine beeinflusst werden.