Infineon 500V CoolMOS CE Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 500 V / 2.2 A 33 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 214-4379P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD50R2K0CEAUMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- RS Best.-Nr.:
- 214-4379P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD50R2K0CEAUMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 500V | |
| Serie | 500V CoolMOS CE | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 33W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 6nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 0.83V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 6.65mm | |
| Höhe | 2.35mm | |
| Breite | 6.42 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 500V | ||
Serie 500V CoolMOS CE | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 33W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 0.83V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 6.65mm | ||
Höhe 2.35mm | ||
Breite 6.42 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Dieser Infineon 500 V Cool MOS CE MOSFET ist eine für das Preis-Leistungs-Verhältnis optimierte Plattform, die es ermöglicht, kostensensible Anwendungen in Verbraucher- und Beleuchtungsmärkten zu erreichen, indem er weiterhin die höchsten Effizienzstandards erfüllt.
Es bietet eine sehr hohe Kommutierungsrobustität