Infineon 600V CoolMOS P7 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 600 V / 76 A 255 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 214-4431P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW60R037P7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 4 - 8 | CHF 8.666 |
| 10 - 18 | CHF 8.181 |
| 20 - 48 | CHF 7.615 |
| 50 + | CHF 7.03 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-4431P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW60R037P7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 76A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | 600V CoolMOS P7 | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 37mΩ | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 255W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 4V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 900mV | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 121nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 76A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie 600V CoolMOS P7 | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 37mΩ | ||
Maximale Verlustleistung Pd 255W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 4V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 900mV | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 121nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Dieser Infineon 600 V Cool MOS P7 Super Junction MOSFET ist weiterhin ein Ausgleich zwischen dem Bedarf an hohem Wirkungsgrad und der Benutzerfreundlichkeit im Designprozess. Die klassenbeste RonxA und die inhärent niedrige Gate-Ladung (QG) der Plattform Cool MOS TM der 7. Generation sorgen für einen hohen Wirkungsgrad.
Er verfügt über eine robuste Gehäusediode
Integrierte RG reduziert die MOSFET-Oszillationsempfindlichkeit