Infineon 600V CoolMOS P7 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 600 V / 48 A 164 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 214-4434P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW60R060P7XKSA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 10 - 18 | CHF 6.848 |
| 20 - 48 | CHF 6.464 |
| 50 - 98 | CHF 5.989 |
| 100 + | CHF 5.515 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-4434P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW60R060P7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 48A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | 600V CoolMOS P7 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 60mΩ | |
| Durchlassspannung Vf | 900mV | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 4V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 164W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 67nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 48A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie 600V CoolMOS P7 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 60mΩ | ||
Durchlassspannung Vf 900mV | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 4V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 164W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 67nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der 600-V-Cool-MOS-P7-Super Junction-MOSFET ist weiterhin ein ausgewogenes Verhältnis zwischen dem Bedarf an hohem Wirkungsgrad und der Benutzerfreundlichkeit im Designprozess. Die klassenbeste RonxA und die inhärent niedrige Gate-Ladung (QG) der Plattform Cool MOS TM der 7. Generation sorgen für einen hohen Wirkungsgrad.
Er verfügt über eine robuste Gehäusediode
Integrierte RG reduziert die MOSFET-Oszillationsempfindlichkeit