Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET 55 V / 51 A 82 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 214-4464P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFZ46ZSTRLPBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 75 - 135 | CHF 1.111 |
| 150 - 360 | CHF 1.081 |
| 375 - 735 | CHF 1.01 |
| 750 + | CHF 0.939 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-4464P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFZ46ZSTRLPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 51A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 13.6mΩ | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 82W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 46nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 51A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 13.6mΩ | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 82W | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 46nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Dieser starke IRFET-Leistungs-MOSFET von Infineon ist für niedrige RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Er ist ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern.
Er ist für die synchrone Gleichrichtung optimiert