Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 34 V / 13 A 2.5 W, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 214-8979
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC0996NSATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 50 Stück)*
CHF.34.65
Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF.0.693 | CHF.34.39 |
| 100 - 200 | CHF.0.462 | CHF.23.36 |
| 250 - 450 | CHF.0.441 | CHF.22.00 |
| 500 - 1200 | CHF.0.41 | CHF.20.27 |
| 1250 + | CHF.0.378 | CHF.18.90 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-8979
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC0996NSATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 13A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 34V | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Serie | OptiMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 9mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.5W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 7.2nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 5.49mm | |
| Breite | 6.35 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 13A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 34V | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Serie OptiMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 9mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.5W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 7.2nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 5.49mm | ||
Breite 6.35 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon OptiMOS-Produkte sind in Hochleistungsgehäusen erhältlich, um die anspruchsvollsten Anwendungen zu bewältigen und bieten volle Flexibilität auf engstem Raum. Diese Infineon Produkte sind zur erfüllen und übertreffen die Energieeffizienz und Leistungsdichte Anforderungen der geschärft werden nächste Generation Spannungsregelung Normen Computeranwendungen.
Sie verfügt über ein verbessertes Schaltverhalten
100 % Lawinenprüfung
Verwandte Links
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 34 V / 13 A 2.5 W, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 7 A 34 W, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS-TM7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 179 A 88 W, 8-Pin PG-TDSON-8-34
- Infineon OptiMOS-TM7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 268 A 145 W, 8-Pin PG-TDSON-8-34
- Infineon OptiMOS-TM7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 165 A 148 W, 8-Pin PG-TDSON-8-34
- Infineon OptiMOS-TM7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 173 A 88 W, 8-Pin PG-TDSON-8-34
- Infineon OptiMOS-TM7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 214 A 105 W, 8-Pin PG-TDSON-8-34
- Infineon OptiMOS-TM7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 120 A 118 W, 8-Pin PG-TDSON-8-34
