Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 34 V / 13 A 2.5 W, 8-Pin BSC0996NSATMA1 TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 214-8979
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC0996NSATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 50 Stück)*
CHF.34.65
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 16. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF.0.693 | CHF.34.39 |
| 100 - 200 | CHF.0.462 | CHF.23.36 |
| 250 - 450 | CHF.0.441 | CHF.22.00 |
| 500 - 1200 | CHF.0.41 | CHF.20.27 |
| 1250 + | CHF.0.378 | CHF.18.90 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-8979
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC0996NSATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 13A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 34V | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Serie | OptiMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 9mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.5W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 7.2nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 6.35 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 5.49mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 13A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 34V | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Serie OptiMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 9mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.5W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 7.2nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 6.35 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 5.49mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon OptiMOS-Produkte sind in Hochleistungsgehäusen erhältlich, um die anspruchsvollsten Anwendungen zu bewältigen und bieten volle Flexibilität auf engstem Raum. Diese Infineon Produkte sind zur erfüllen und übertreffen die Energieeffizienz und Leistungsdichte Anforderungen der geschärft werden nächste Generation Spannungsregelung Normen Computeranwendungen.
Sie verfügt über ein verbessertes Schaltverhalten
100 % Lawinenprüfung
Verwandte Links
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 34 V / 13 A 2.5 W, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 7 A 34 W, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 7 A 34 W, 8-Pin BSC22DN20NS3GATMA1 TDSON
- Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 49 A 2.5 W, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 49 A 2.5 W, 8-Pin BSC093N04LSGATMA1 TDSON
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 100 A, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 100 A, 8-Pin IAUC100N10S5N040ATMA1 TDSON
- Infineon Doppelt OptiMOS Typ N-Kanal MOSFET 55 V Erweiterung / 20 A 65 W, 8-Pin TDSON