Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 75 V / 15 A 2.5 W, 6-Pin MG-WDSON
- RS Best.-Nr.:
- 214-8982P
- Herst. Teile-Nr.:
- BSF450NE7NH3XUMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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CHF.96.975
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 75 - 135 | CHF.1.293 |
| 150 - 360 | CHF.1.263 |
| 375 - 735 | CHF.1.182 |
| 750 + | CHF.1.101 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-8982P
- Herst. Teile-Nr.:
- BSF450NE7NH3XUMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 15A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 75V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Gehäusegröße | MG-WDSON | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 45mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 7.2nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.5W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Länge | 5.49mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 15A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 75V | ||
Serie OptiMOS | ||
Gehäusegröße MG-WDSON | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 45mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 7.2nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.5W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.1mm | ||
Länge 5.49mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die 75-V-OptiMOS-Technologie von Infineon ist auf synchrone Gleichrichtungsanwendungen spezialisiert. Basierend auf der führenden 80-V-Technologie bieten diese 75-V-Produkte gleichzeitig niedrigste Betriebswiderstände und überlegene Schaltleistung. Es erfordert den geringsten Platinenplatzverbrauch. Weltweit niedrigster R DS(on), mit erhöhter Effizienz und umweltfreundlich.
Geringe parasitäre Induktivität
100%ig auf Stoßentladung geprüft
Es besteht aus zweiseitiger Kühlung