Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 19 A 47 W, 3-Pin TO-252

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Herst. Teile-Nr.:
IPD15N06S2L64ATMA2
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

19A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Serie

OptiMOS

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

64mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

11nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

47W

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

6.5mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

2.3mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Die Infineon OptiMOS-Produkte sind in Hochleistungsgehäusen erhältlich, um die anspruchsvollsten Anwendungen zu bewältigen und bieten volle Flexibilität auf engstem Raum. Diese Infineon Produkte sind zur erfüllen und übertreffen die Energieeffizienz und Leistungsdichte Anforderungen der geschärft werden nächste Generation Spannungsregelung Normen Computeranwendungen. Dies sind robuste Gehäuse mit überragender Qualität und Zuverlässigkeit.

Er ist gemäß AEC Q101 für den Kfz-Bereich zugelassen

100 % Lawinenprüfung

Er hat eine Betriebstemperatur von 175 °C

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