Infineon Doppelt OptiMOS-T2 Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-Transistor 100 V Erweiterung / 16 A 29 W, 8-Pin TDSON

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RS Best.-Nr.:
214-9058P
Herst. Teile-Nr.:
IPG16N10S461AATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

Leistungs-Transistor

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

16A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

OptiMOS-T2

Gehäusegröße

TDSON

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

61mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

29W

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

5.4nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

5.15mm

Höhe

1mm

Breite

5.9 mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Die neue OptiMOS-T2-Serie von Infineon verfügt über eine Reihe von energieeffizienten MOSFET-Transistoren mit CO2-Reduzierung und elektrischen Antrieben. Die neue OptiMOS-T2-Produktfamilie erweitert die bestehenden OptiMOS-T- und OptiMOS-Familien. Der Dual N-Kanal Normal Level - Enhancement Mode ist für automatische optische Inspektion (AOI) geeignet. OptiMOS-Produkte sind in Hochleistungsgehäusen erhältlich, um die anspruchsvollsten Anwendungen zu bewältigen und bieten volle Flexibilität auf engstem Raum. Diese Infineon Produkte wurden entwickelt, um die Anforderungen an Energieeffizienz und Leistungsdichte zu erfüllen und zu übertreffen.

Das Produkt ist AEC Q101-zertifiziert

100 % Lawinenprüfung

Er hat eine Betriebstemperatur von 175 °C

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