Infineon CoolMOS P6 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 19.2 A 151 W, 5-Pin VSON
- RS Best.-Nr.:
- 214-9076P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPL60R210P6AUMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme 25 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
CHF.52.525
Vorübergehend ausverkauft
- 2'980 Einheit(en) mit Versand ab 01. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 25 - 45 | CHF.2.101 |
| 50 - 120 | CHF.1.98 |
| 125 - 245 | CHF.1.838 |
| 250 + | CHF.1.687 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-9076P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPL60R210P6AUMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 19.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | CoolMOS P6 | |
| Gehäusegröße | VSON | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 210mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 37nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 151W | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Länge | 8.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 19.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie CoolMOS P6 | ||
Gehäusegröße VSON | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 210mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 37nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 151W | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.1mm | ||
Länge 8.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
600 V CoolMOSaP6-Leistungs-Transistor
Die CoolMOSTM P6-Superjunction-MOSFET-Familie von Infineon wurde entwickelt, um eine höhere Systemeffizienz zu ermöglichen und gleichzeitig einfach zu gestalten. CoolMOSTM P6 schließt die Lücke zwischen Technologien, die sich auf die ultimative Leistung konzentrieren, und denen, die sich stärker auf die Benutzerfreundlichkeit konzentrieren.